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SUB40N06-25L	文件：62.02 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level	VishayVishay Siliconix 威世科技
SUB40N06-25L	文件：1.21992 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
40N06	文件：68.1 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
40N06	文件：897.86 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
40N06	文件：1.20806 Mbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW 友台友台半导体
40N06B	文件：196.75 Kbytes Page：5 Pages	38A竊?0VN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
DTU40N06	文件：2.36036 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
DTU40N06	文件：899.15 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
DTU40N06	文件：278.63 Kbytes Page：7 Pages	TrenchFETPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
DTU40N06	文件：1.56017 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
HM40N06D	文件：708.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
MS40N06	文件：585.05 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司
MTH40N06	文件：484.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
MTH40N06	文件：293.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTH40N06FI	文件：352.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MTH40N06FI	文件：484.3 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
PJD40N06A	文件：569.58 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
PJD40N06A-AU	文件：401.41 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
PJP40N06A	文件：569.58 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
PJU40N06A	文件：569.58 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

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详细参数

型号：
SUB40N06
功能描述：
MOSFET 60V 40A 3.7W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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