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STW9N150	文件：373.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STW9N150

文件：373.06 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

STW9N150

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N-channel 1500V - 2.2廓 - 8A - TO-247 Very high voltage PowerMESH??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

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W9N150V

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意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
STW9N150
功能描述：
MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STW9N150供应商更新时间2024-5-29 17:51:00

详细参数

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