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STS7C4F30L	文件：403.78 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET??POWER MOSFET N-CHANNEL30V-0.018Ω-7ASO-8 P-CHANNEL30V-0.070Ω-4ASO-8 ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisunique”SingleFeatureSizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STS7C4F30L

文件：403.78 Kbytes

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N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET??POWER MOSFET

N-CHANNEL30V-0.018Ω-7ASO-8 P-CHANNEL30V-0.070Ω-4ASO-8 ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisunique”SingleFeatureSizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalan

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STS7C4F30L

文件：1.13459 Mbytes

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N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
STS7C4F30L
功能描述：
MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
STripFET™
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多STS7C4F30L供应商更新时间2024-6-7 16:39:00

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