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STP80PF55	文件：326.86 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP80PF55	文件：104.39 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL 55V - 0.016 ohm - 80A TO-220 STripFET??II POWER MOSFET Description ThesePowerMOSFETsarethelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniquesinglefeaturesizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsallowingremarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80PF55	文件：251.01 Kbytes Page：13 Pages	P-channel 55V - 0.016廓 - 80A - TO-220 - D2PAK STripFET??II Power MOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelaestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“Singlefeaturesize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP80PF55	文件：348.74 Kbytes Page：16 Pages	P-channel 55 V, 0.016 廓, 80 A TO-220, D2PAK STripFETTM II Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P80PF55	文件：348.74 Kbytes Page：16 Pages	P-channel55V,0.016廓,80ATO-220,D2PAKSTripFETTMIIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB80PF55	文件：175.96 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL55V-0.016ohm-80AD2PAKSTripFET??IIPOWERMOSFET Description ThesePowerMOSFETsarethelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsuniquesinglefeaturesizestrip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsallowingremarka	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB80PF55	文件：251.01 Kbytes Page：13 Pages	P-channel55V-0.016廓-80A-TO-220-D2PAKSTripFET??IIPowerMOSFET Description ThisPowerMOSFETisthelaestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“Singlefeaturesize™”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemark	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP80PF55
功能描述：
MOSFET P-Ch 55 Volt 80 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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