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STP7N80K5	文件：1.00919 Mbytes Page：21 Pages	Zener-protected Description TheseN-channelZener-protectedPowerMOSFETsaredesignedusingST’srevolutionaryavalanche-ruggedveryhighvoltageSuperMESH™5technology,basedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistance,andultra-lowgatechargeforapp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STD7N80K5	文件：335.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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STL7N80K5	文件：956.08 Kbytes Page：17 Pages	Ultralowgatecharge Description ThisveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETisdesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhighefficie	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STP7N80K5
功能描述：
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A SuperMESH 5
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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