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STP160N4LF6	文件：817.45 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40 V, 0.0021 mΩ typ., 120 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistanceRDS(on) •Logicleveldrive •Highavalancheruggedness •100avalanchetested Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6thgenerationofSTr	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STP160N4LF6

文件：817.45 Kbytes

Page：14 Pages

N-channel 40 V, 0.0021 mΩ typ., 120 A, STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a TO-220 package

Features •RDS(on)*Qgindustrybenchmark •Extremelylowon-resistanceRDS(on) •Logicleveldrive •Highavalancheruggedness •100avalanchetested Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthe6thgenerationofSTr

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更多STP160N4LF6供应商更新时间2024-5-30 10:38:00

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