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STL8N65M2	文件：848.88 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 650 V, 1 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL8N65M2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STL8N65M2

文件：848.88 Kbytes

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N-channel 650 V, 1 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package

Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(COSS)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice

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STL8N65M2

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包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

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产品属性

产品编号：
STL8N65M2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
Vgs（最大值）：
±25V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
描述：
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

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