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STL73D-AP	文件：138.13 Kbytes Page：9 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. TheSTLseriesis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL73D-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STL73D-AP

文件：138.13 Kbytes

Page：9 Pages

High voltage fast-switching NPN power transistor

DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. TheSTLseriesis

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STL73D-AP

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包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

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产品属性

产品编号：
STL73D-AP
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 250mA，1A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 600mA，3V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3

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