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STGW60H65DFB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ST/意法半导体
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
STGW60H65DFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,60A
- 开关能量:
1.09mJ(开),626µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
51ns/160ns
- 测试条件:
400V,60A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 650V 80A 375W TO-247
供应商
- 企业:
深圳硅原半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李运鸿
- 手机:
18823676336/13418911282
- 询价:
- 电话:
18823676336
- 地址:
深圳市龙岗区坂田街道坂雪岗大道与永香路交汇处创汇国际中心706
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