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STGW40H60DLFB分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
STGW40H60DLFB |
参数属性 | STGW40H60DLFB 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 283W TO-247 |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed |
文件大小 |
1.49074 Mbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 17:54:00 |
STGW40H60DLFB规格书详情
Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.)
@ IC = 40 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Low VF soft recovery co-packaged diode
• Lead free package
Applications
• Induction heating
• Microwave oven
• Resonant converters
STGW40H60DLFB属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGW40H60DLFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
STGW40H60DLFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,40A
- 开关能量:
363µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/142ns
- 测试条件:
400V,40A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 80A 283W TO-247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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