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STGW30N120KD分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGW30N120KD |
| 参数属性 | STGW30N120KD 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247 |
| 功能描述 | 30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT |
| 文件大小 |
359.23 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 22:51:00 |
STGW30N120KD规格书详情
STGW30N120KD属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体（ST）集团制造生产的STGW30N120KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号：
STGW30N120KD
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.85V @ 15V，20A
- 开关能量：
2.4mJ（开），4.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/251ns
- 测试条件：
960V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 1200V 60A 220W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
23+ |
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