选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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ST-意法半导体TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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STTO220FP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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STMicroelectronicsTO-220-3 整包 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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STTO220FP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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STTO220FP |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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NA |
3000 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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STGF12NB60KD图片
STGF12NB60KD中文资料Alldatasheet PDF
更多STGF12NB60KD功能描述:IGBT N-CH 12A 600V TO-220FP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:PowerMESH™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号:
STGF12NB60KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,12A
- 开关能量:
152µJ(开),258µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/96ns
- 测试条件:
480V,12A,10 欧姆,15V
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220FP
- 描述:
IGBT 600V 14A 30W TO220FP