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STGD7NB60K分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGD7NB60K
厂商型号

STGD7NB60K

参数属性

STGD7NB60K 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 14A 70W DPAK

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH??IGBT
IGBT 600V 14A 70W DPAK

文件大小

710.92 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:59:00

STGD7NB60K规格书详情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Power MESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications with short circuit withstand capability.

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ FREQUENCY OPERATION

■ SHORT CIRCUIT RATED

APPLICATIONS

■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS

■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCHING AND RESONANT TOPOLOGIES

STGD7NB60K属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。意法半导体(ST)集团制造生产的STGD7NB60K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    STGD7NB60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    95µJ(开),140µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/50ns

  • 测试条件:

    480V,7A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 70W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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