选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ST/意法D2PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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TQFP-32 |
5888 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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STTO263 |
2600000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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ST/意法TO-263 |
3000 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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STMTO-263-3 (D2PAK) |
60000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-263 |
550 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)D2PAK |
10000 |
23+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ST/意法TO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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STD2PAK |
3000 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法D2PAK-3 |
20 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ST专家D2PAK-3 |
8502 |
1810+ |
只做原装正品 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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STTO263 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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ST/意法TO263 |
15000 |
22+ |
全新原装现货 实单价优 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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STM |
1000 |
21+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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STM原厂原装 |
9000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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STMTO-263-3 (D2PAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ST/意法D2PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体D2PAK-3 |
6007 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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北京三盛恒业电子有限公司6年
留言
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TIVSON-10(3x3) |
6700 |
22+ |
原装现货 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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STD2PAK |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
STGB10NC60K采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
STGB10NC60K图片
STGB10NC60KT4价格
STGB10NC60KT4价格:¥3.3731品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGB10NC60KT4多少钱,想知道STGB10NC60KT4价格是多少?参考价:¥3.3731。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,STGB10NC60KT4批发价格及采购报价,STGB10NC60KT4销售排行榜及行情走势,STGB10NC60KT4报价。
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更多STGB10NC60K制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 20A D2PAK
STGB10NC60K_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
STGB10NC60KD制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 20A D2PAK
STGB10NC60KD_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGB10NC60KDT4功能描述:IGBT 晶体管 N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGB10NC60KT4功能描述:IGBT 晶体管 N-channel MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube