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STFH24N60M2	文件：747.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 600 V, 0.168 ??typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage package	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
24N60M2	文件：1.15453 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF24N60M2	文件：1.08688 Mbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFI24N60M2	文件：1.08688 Mbytes Page：14 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinTO-220FPandI2PAKFPpackages Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFU24N60M2	文件：692.55 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.168廓typ.,18AMDmesh??M2PowerMOSFETinaTO-220FPultranarrowleadspackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STI24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL24N60M2	文件：1.27622 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.186typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedeviceexhibitslowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingitsuitableforthemostdemandinghighefficiencyco	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168廓typ.,18AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinD2PAK,I2PAK,TO-220andTO-247packages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP24N60M2	文件：1.5738 Mbytes Page：22 Pages	N-channel600V,0.168typ.,18AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETinD2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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