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STF7N52K3	文件：380.01 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 525 V, 0.84 廓, 6.3 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3??Power MOSFET Description SuperMESH3™isanewPowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF7N52K3	文件：1.20013 Mbytes Page：18 Pages	N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB7N52K3	文件：380.01 Kbytes Page：15 Pages	N-channel525V,0.84廓,6.3A,D2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220SuperMESH3??PowerMOSFET Description SuperMESH3™isanewPowerMOSFETtechnologythatisobtainedviaimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH™technologycombinedwithanewoptimizedverticalstructure.Theresultingproducthasanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STF7N52K3
功能描述：
MOSFET N-channel 525 V 6.3 A DPAK D
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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