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STD8NM60N-1	文件：492.5 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 600 V - 0.56 廓 - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD8NM60N-1	文件：706.65 Kbytes Page：19 Pages	N-channel 600 V, 0.56 廓,7 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STD8NM60N-1

文件：492.5 Kbytes

Page：17 Pages

N-channel 600 V - 0.56 廓 - 7 A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK second generation MDmesh??Power MOSFET

Description ThisseriesofdevicesimplementssecondgenerationMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretotheCompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemandingh

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STD8NM60N-1

文件：706.65 Kbytes

Page：19 Pages

N-channel 600 V, 0.56 廓,7 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD8NM60N-1
功能描述：
MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STD8NM60N-1供应商更新时间2024-5-16 15:30:00

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