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STD155N3H6	文件：949.48 Kbytes Page：18 Pages	N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, D PAK, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Description Thesedevicesare30VN-channelPowerMOSFETsrealizedusingST`sproprietarySTripFET™VItechnology.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancherugged	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB155N3H6	文件：949.48 Kbytes Page：18 Pages	N-channel30V,2.5m,80A,DPAK,DPAKSTripFETVIDeepGATEPowerMOSFET Description Thesedevicesare30VN-channelPowerMOSFETsrealizedusingST`sproprietarySTripFET™VItechnology.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancherugged	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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STD155N3H6

文件：949.48 Kbytes

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N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, D PAK, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

Description Thesedevicesare30VN-channelPowerMOSFETsrealizedusingST`sproprietarySTripFET™VItechnology.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. Features ■RDS(on)*Qgindustrybenchmark ■Extremelylowon-resistanceRDS(on) ■Highavalancherugged

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STB155N3H6

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N-channel30V,2.5m,80A,DPAK,DPAKSTripFETVIDeepGATEPowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD155N3H6
功能描述：
MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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