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STB8NM60D中文资料PDF规格书

STB8NM60D
厂商型号

STB8NM60D

功能描述

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件大小

1.10877 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 VBsemi Electronics Co. Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-17 23:14:00

产品属性

  • 型号:

    STB8NM60D

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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