STB8NM60D中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
STB8NM60D
- 功能描述:
MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST专家 |
20+ |
D2PAK |
69052 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
D2PAK |
80000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263-3 |
1773 |
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ST/意法半导体 |
2023 |
TO-263-3 |
6000 |
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ST/意法半导体 |
2023+ |
TO-263-3 |
6000 |
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询价 | ||
ST |
2018+ |
TO263 |
6528 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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