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P60NS04Z	文件：91.89 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELCLAMPED10mohm-60A-TO-220FULLYPROTECTEDMESHOVERLAYMOSFET DESCRIPTION ThisfullyclampedMosfetisproducedbyusingthelatestadvancedCompany’sMeshOverlayprocesswhichisbasedonanovelstriplayout.Theinherentbenefitsofthenewtechnologycoupledwiththeextraclampingcapabilitiesmakethisproductparticularlysuitablefortheharshest	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP60NS04ZB	文件：292.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELCLAMPED10mohm-60ATO-220FULLYPROTECTEDMESHOVERLAY??MOSFET Description ThisfullyclampedPowerMOSFETisproducedbyusingthelatestadvancedCompany’sMeshOverlayprocesswhichisbasedonanovelstriplayout.Theinherentbenefitsofthenewtechnologycoupledwiththeextraclampingcapabilitiesmakethisproductparticularlysuitable forthe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP60NS04ZB	文件：256.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channelclamped-10mohm-60A-TO-220FullyprotectedMeshOverlayPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STB60NS04Z
功能描述：
MOSFET N-Ch Clamped 60 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STB60NS04Z供应商更新时间2024-6-12 17:08:00

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