STB60N06-14中文资料下载供应商报价VBSEMI-114ic电子网

首页 >STB60N06>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
STB60N06-14	文件：87.02 Kbytes Page：6 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.012Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWGATECHARGE ■VERYHIGHCURRENTCAPABILITY ■APPLICATIONORIENTED CHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEI2PAK(TO-262)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STB60N06-14	文件：985.94 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
60N06	文件：201.28 Kbytes Page：8 Pages	60Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC60N06isN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorswithstableoff-statecharacteristics,fastswitchingspeed,lowthermalresistance,usuallyusedattelecomandcomputerapplication. FEATURES RDS(ON)≤18mΩ@VGS=10V,ID=30A Ultralowgatecharge(ty	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
60N06	文件：316.43 Kbytes Page：8 Pages	60A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
60N06	文件：284.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
60N06	文件：983.43 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
60N06FI	文件：949.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEB60N06G	文件：426.07 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB60N06G	文件：647.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,60A,RDS(ON)=16mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP60N06G	文件：647.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,60A,RDS(ON)=16mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP60N06G	文件：426.07 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CMT60N06	文件：277.99 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELLogicLevelPOWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CMT60N06G	文件：478.93 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELLogicLevelPowerMOSFET	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子	CHAMP
EMB60N06A	文件：198.15 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)60mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB60N06A	文件：1.00641 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
EMB60N06C	文件：195.07 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB60N06CS	文件：202.31 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)60mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB60N06H	文件：184.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)58mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB60N06J	文件：171.8 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB60N06V	文件：195.76 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

12 3 4 5 >>>

详细参数

型号：
STB60N06
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	STB60N06-14	VB	2019	TO263	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	STB60N06-14	ST	1709+	TO-263/D2-PAK	32500	普通	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	STB60N06-14	ST/意法	21+	TO-263	30000	只做正品原装现货	询价
艾睿国际（香港）有限公司	STB60N06-14	VBsemi(台湾微碧)	2112+	TO-263	105000	800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	STB60N06-14	ST/意法	2022+	SOT263	10000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	STB60N06-14	VBSEMI台湾微碧	23+	TO-263	22820	原装正品，支持实单	询价
深圳市特莱科技有限公司	STB60N06-14	ST意法半导体	24+23+	SOT263	12580	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市维尔达电子有限公司	STB60N06-14	VBsemi	2230+	TO263	5766	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	STB60N06-14	VBsemi	24+	TO263	5766		询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	STB60N06-14	ST		SOT263	93480	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价

更多STB60N06供应商更新时间2024-6-13 11:30:00

详细参数

相关规格书

相关库存