STB2N62K3中文资料PDF规格书
STB2N62K3规格书详情
Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure.
These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STB2N62K3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 620V 2.2A MOS 3Ohm SuperMESH 3
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
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询价 | ||
ST意法 |
N/A |
21+ |
569888 |
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询价 | ||
STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO220 |
21102 |
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询价 | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
12800 |
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ST |
TO220 |
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ST/意法 |
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DIP-20 |
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