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STB200NF03T4中文资料PDF规格书
STB200NF03T4规格书详情
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Standard threshold drive
■ 100 avalanche tested
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
STB200NF03T4
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | ||||
ST |
12+ |
TO263-3 |
1002 |
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ST |
21+ |
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STM |
23+ |
TO-263 |
50000 |
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ST |
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ST |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
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STMicroelectronics |
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D2PAK |
30000 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
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询价 |
