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NX8341UJ-AZ	文件：372.08 Kbytes Page：15 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX8341UJ-AZ	文件：351.19 Kbytes Page：13 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX8341UL-AZ	文件：372.08 Kbytes Page：15 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX8341UL-AZ	文件：351.19 Kbytes Page：13 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX8341UN-AZ	文件：372.08 Kbytes Page：15 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
NX8341UN-AZ	文件：351.19 Kbytes Page：13 Pages	1310nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODEFOR10Gb/sAPPLICATION	CEL California Eastern Laboratories	CEL
S8341	文件：124.25 Kbytes Page：1 Pages	18watt;pin-basedCompactFluorescent;2700K;82CRI;GX24q-2(4-Pin)base	SATCO SATCO	SATCO
S-8341	文件：3.2988 Mbytes Page：55 Pages	STEP-UP,600kHz,PWMCONTROLORPWM/PFMSWITCHABLESWITCHINGREGULATORCONTROLLER	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
TDA8341	文件：111.59 Kbytes Page：14 Pages	TelevisionIFamplifieranddemodulator	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
VTB8341	文件：27.61 Kbytes Page：1 Pages	VTBProcessPhotodiodes PRODUCTDESCRIPTION Planarsiliconphotodiodemountedonatwoleadceramicsubstrateandcoatedwithathicklayerofclearepoxy.Thesediodeshaveveryhighshuntresistanceandhavegoodblueresponse.	PerkinElmer PerkinElmer	PerkinElmer
XCSE8341	文件：128.91 Kbytes Page：3 Pages	metalsafetyswitchXCSE-3NC-slowbreak-2entriestappedPg13-220/240V	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER

晶体管资料

型号：
STA8341
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
功率开关（PSW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
3DK308C,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β=10-100
图片代号：
E-44
vtest：
450
htest：
999900
atest：
10
wtest：
100

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	STA850	ST		QFP	250	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
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更多STA8341供应商更新时间2024-6-7 16:33:00

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