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ST3413A	文件：267.88 Kbytes Page：7 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION ST3413AistheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorwhichis producedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishighdensityprocessis especiallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesare	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
ST3413A	文件：1.03845 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ST3413A_V2	文件：267.88 Kbytes Page：7 Pages	P Channel Enhancement Mode MOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3413	文件：1.00833 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE3413	文件：173.53 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE3413	文件：614.09 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE3413BM+	文件：173.53 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE3413BM+H	文件：614.09 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ADP3413	文件：142.92 Kbytes Page：8 Pages	DualBootstrappedMOSFETDriverwithOutputDisable GENERALDESCRIPTION TheADP3413isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelMOSFETswhicharethetwoswitchesinanonisolatedsynchronousbuckpowerconverter.Eachofthedriversiscapableofdrivinga3000pFloadwitha20nspropagationdelayanda30nstransitiontime.On	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADP3413JR	文件：142.92 Kbytes Page：8 Pages	DualBootstrappedMOSFETDriverwithOutputDisable GENERALDESCRIPTION TheADP3413isadualMOSFETdriveroptimizedfordrivingtwoN-channelMOSFETswhicharethetwoswitchesinanonisolatedsynchronousbuckpowerconverter.Eachofthedriversiscapableofdrivinga3000pFloadwitha20nspropagationdelayanda30nstransitiontime.On	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AIC3413	文件：252.91 Kbytes Page：10 Pages	1.2MHzSynchronousStep-UpConverter	AIC AIC	AIC
AM3413A	文件：540.96 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-20VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION VDS=-20V VGS=±12V ID(A)=-3.2A RDS(ON)=75mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=105mΩ(Typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=-1.8V TheAM3413AisavailableinSOT23Spackage. FEATURES ⚫Fastswitch ⚫1.8VLowgatedriveapplications ⚫AvailableinSOT23Spackage APPLICATIONS	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM3413P	文件：341.26 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel200-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AN3413	文件：325.04 Kbytes Page：18 Pages	STM32L1xcurrentconsumptionmeasurementandtouchsensingdemonstrationfirmware	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AO3413	文件：222.36 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-20V ID=-3A RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3413	文件：958.67 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO3413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features VDS(V)=-20V ID=-3A RDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AO3413	文件：462.36 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3413	文件：2.15868 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-3A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3413A	文件：504.35 Kbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelMOSFET Features VDS=-20V ID=-3A(VGS=-4.5V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
AO3413-HF	文件：2.32577 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-3A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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更多ST3413A供应商更新时间2024-5-20 10:41:00

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