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ST2318SRG	文件：490.34 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ST2318SRG	文件：221.61 Kbytes Page：7 Pages	ST2318SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.	STANSONStanson Technology Stanson 科技	STANSON
2318	文件：21.48 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2318	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318DFO	文件：992.1 Kbytes Page：8 Pages	LowVoltageandPowerApplications	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2318-H-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2318-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AM2318	文件：334.18 Kbytes Page：7 Pages	MOSFETN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheAM2318isavailableinSOT-23package. FEATURES 20V/2.0A, RDS(ON)=80mΩ(MAX)@VGS=4.5V RDS(ON)=90mΩ(MAX)@VGS=2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ReliableandRugged. AvailableinSOT-23Package APPLICATION PowerManagement 	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2318N	文件：330.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2318	文件：851.32 Kbytes Page：16 Pages	600mAULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318A	文件：709.03 Kbytes Page：13 Pages	1AULDOREGULATORWITHENABLE	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2318AGEN-HF	文件：64.84 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage,SurfaceMountDevice	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318BEN	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingPerformance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN	文件：72.01 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2318GEN-HF	文件：103.42 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,SmallOutlinePackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2318A	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3A, RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=40mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentand	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
ST2318
制造商：
STANSON
制造商全称：
STANSON
功能描述：
ST2318SRG is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor is produced using high cell density, DMOS trench technology.

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	ST2318SRG	STANSON	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多ST2318供应商更新时间2024-6-18 10:00:00

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