SSQ04N65J数据手册原装现货美微科SECOS-114ic电子网

首页 >SSQ04N65J>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
SSQ04N65J	文件：251.44 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
04N65	文件：1.97664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AM04N65	文件：827.56 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET650V,4AN-CHANNEL FEATURE •RDS(ON),typ.=2.1Ω@VGS=10V •HighCurrentRating •LowerCapacitance •LowerTotalGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N65isavailableinTO220FPackage. APPLICATION •Adaptor •Charger •SMPSStandbyPower	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
CEB04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB04N65A	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED04N65	文件：472.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED04N65A	文件：479.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,3.1A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF04N65A	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP04N65	文件：628 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP04N65	文件：364.49 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP04N65A	文件：505.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU04N65	文件：472.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,3.2A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU04N65	文件：386.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■650V,3.2A,RDS(ON)=2.8Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU04N65	文件：1.28974 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU04N65A	文件：479.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 700V@TJmax,3.1A,RDS(ON)=2.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CJB04N65	文件：388.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJB04N65A	文件：539.25 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD04N65	文件：835.02 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJD04N65	文件：1.06266 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU

12 3 4 >>>

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SSQ075mA	BEL	23+	SMD	4350	原装正品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SSQ07N60J	SECOS	21+	TO220	15000	原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量!	询价
深圳市利加科技有限公司	SSQ1	BELFUSE	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	SSQ1	BELFUSE	2020+	原厂封装	350000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	SSQ1	BEL	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
北京逸博微科技有限公司	SSQ1	BELFUSE	20+		1562	全新现货热卖中欢迎查询	询价
深圳市维尔达电子有限公司	SSQ1	BELFUSE	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市艾宇特电子科技有限公司	SSQ1	BELFUSE	2046+		9852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	SSQ1	BEL	15+	SMD	2000		询价
深圳市科雨电子有限公司	SSQ1	BEL	20+	电路保护	28610	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多SSQ04N65J供应商更新时间2024-5-31 13:26:00

相关规格书

相关库存