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SSM3K119TU	文件：133 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N Channel MOS Type Power Management Switch Applications PowerManagementSwitchApplications HighSpeedSwitchingApplications •1.8Vdrive •LowON-resistance:Ron=134mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=90mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=74mΩ(max)(@VGS=4.0V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM3K119TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM3K119TU_14	文件：164.44 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

零件编号

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功能描述

制造商&上传企业

LOGO

SSM3K119TU

文件：133 Kbytes

Page：5 Pages

Silicon N Channel MOS Type Power Management Switch Applications

PowerManagementSwitchApplications HighSpeedSwitchingApplications •1.8Vdrive •LowON-resistance:Ron=134mΩ(max)(@VGS=1.8V) Ron=90mΩ(max)(@VGS=2.5V) Ron=74mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM3K119TU

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

SSM3K119TU_14

文件：164.44 Kbytes

Page：5 Pages

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
SSM3K119TU
功能描述：
MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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