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ECKD3J331MDU

HighVoltageCeramicDiscCapacitors,Rated4to15kVDC,Temp.Char.Y5T

PanasonicPanasonic Corporation

松下松下电器

SSM3J331R

PowerManagementSwitches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

SSM3J331R

MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOSVI)

Applications •PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=100mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=75mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=55mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

SSM3J331R

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    SSM3J331R,LF

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SSM3J331R,LF供应商 更新时间2024-6-1 9:02:00