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BD136	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highcurrent ·ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS ·Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD136	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136	文件：133.44 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD136	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BD136	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD136	文件：41.75 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications Features •ComplementtoBD135,BD137andBD139respectively Applications •MediumPowerLinearandSwitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD136G	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136G	文件：86.87 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136-TU	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD135,BD137AndBD139	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BFP136	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFP136	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：79.18 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor ●ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems ●fT=5.5GHz ●Goldmetalizationforhighreliability	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP136W	文件：60.58 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems) NPNSiliconRFTransistor •ForpoweramplifierinDECTandPCNsystems •fT=5.5GHz •Goldmetalizationforhighreliability	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFQ136	文件：73.48 Kbytes Page：9 Pages	NPN4GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNtransistorinafour-leaddual-emitterSOT122Aenvelopewithaceramiccap.Allleadsareisolatedfromthestud.Diffusedemitter-ballastingresistorsandtheapplicationofgoldsandwich metallizationensureanoptimumtemperatureprofileandexcellentreliabilitypropertie	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGY136	文件：106.46 Kbytes Page：10 Pages	VHFpoweramplifiermodules DESCRIPTION TheBGY135andBGY136aretwo-stagebroadbandRFamplifiermodulesinaSOT132Bpackage.EachmoduleconsistsoftwoNPNtransistordiestogetherwithlumped-elementmatchingcomponents. FEATURES •12.5Vnominalsupplyvoltage •18Woutputpower. APPLICATIONS •Mobilecommunica	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BL-HA136A	文件：260.61 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-HA136A-TRB	文件：229.57 Kbytes Page：8 Pages	EmittedColor:Amber	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BL-HA136D	文件：393.63 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTCHIPLEDLAMPS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE

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