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SPI07N60S5	文件：315.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPI07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：534.26 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPI07N60S5_02	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
07N60S5	文件：2.123 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：189.04 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：652.3 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPDU07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
SPI07N60S5
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 7.3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPI07N60S5供应商更新时间2024-6-8 16:12:00

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