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SPD50N03S2	文件：335.2 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD50N03S2-07	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPD50N03S2-07G	文件：647.54 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50N03S2-07G	文件：1.02004 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD50N03S2L	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50N03S2L_08	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPD50N03S2L-06	文件：1.01997 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD50N03S2L-06G	文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD50N03S2L-06G	文件：1.01986 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD50N03S2	文件：335.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
SPD50N03S2
功能描述：
MOSFET TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	SPD50N03S2	isc	2024	DPAK/TO-252	1000	国产品牌isc,可替代原装	询价
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