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SPD04P10PLG	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD04P10PLG	文件：463.13 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD04P10PLG	文件：1.04763 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
04P10P	文件：1.90761 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
04P10PL	文件：1.90778 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BZW04P10	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04P10	文件：51.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:400Watts FEATURES: 400Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC	EIC
BZW04P10	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BZW04P10	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10	文件：393.28 Kbytes Page：6 Pages	TransZorbTransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10	文件：200.66 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04P10	文件：509.04 Kbytes Page：4 Pages	AXIALLEADEDTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZW04P10A	文件：1.02949 Mbytes Page：6 Pages	400WattsAxialLeadedTransientVoltageSuppressor VOLTAGERANGE:5.8-376VPOWER:400Watts Features ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BZW04P10B	文件：195.74 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORVOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae VOLTAGE-6.8to440Volts400WattsPeak1.0WattSteadyStae FEATURES ■Plasticpackage ■GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ■400Wsurgecapabilityat10/1000µswavefromExcellentclampingcapability ■Lowzenerimpedance ■Fastresponsetime:typicallylesst	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：293.43 Kbytes Page：1 Pages	MINITYPELEDLAMPS	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BZW04P10B	文件：113.51 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellentclampingc	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZW04P10B	文件：74.81 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •400Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •Lowincrementalsurgeresistance •Excellentclampingcapability	MDEMDE semiconductor MDE半导体公司	MDE
BZW04P10B	文件：189.68 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressor BREAKDOWNVOLTAGE:5.8---376VPEAKPULSEPOWER:400W Features ♦Plasticpackagehasunderwriterslaboratoryflammabilityclassification94V-0 ♦Glasspassivatedjunction ♦400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ♦Excellen	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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详细参数

型号：
SPD04P10PLG
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	SPD04P10PLG	Infineon(英飞凌)	22+	SMD	7525	场效应管/明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市英科美电子有限公司	SPD04P10PLG	INFINEON/英飞凌	2021+	SOT-252	17111	原装进口假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	SPD04P10PLG	Infineon	22+	NO	36000	代理渠道力挺长期原装现货可开增票	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SPD04P10PLG	INF	23+	TO-252	10000	原装正品,假一罚十	询价

更多SPD04P10PLG供应商更新时间2024-6-3 16:40:00

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