| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
7400 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT263 |
7400 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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InfineonSOT263 |
9200 |
19+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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INENOISOT263 |
29990 |
2211+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
7400 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263-3-2 |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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infineonTO-263 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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infineonP-TO263-3-2 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEONSOT263 |
57550 |
2022+ |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON23+ |
10000 |
TO263-3-2 |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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INFINEONSOT263 |
7400 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINE0NTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
SPB100N04S2L-03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPB100N04S2L-03图片
SPB100N04S2L-03中文资料Alldatasheet PDF
更多SPB100N04S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB100N04S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
