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04N60C3	文件：1.94936 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
04N60C3	文件：2.1288 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ISPD04N60C3	文件：336.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.95Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISPP04N60C3	文件：339.31 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA04N60C3	文件：304.59 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPA04N60C3	文件：594.28 Kbytes Page：14 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPA04N60C3	文件：270.25 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPA04N60C3	文件：1.09089 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB04N60C3	文件：1.10925 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB04N60C3	文件：189.57 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB04N60C3	文件：429.54 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPB04N60C3	文件：304.59 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD04N60C3	文件：287.2 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD04N60C3	文件：749.88 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPD04N60C3	文件：336.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.95Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD04N60C3	文件：868.93 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP04N60C3	文件：304.59 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SPP04N60C3	文件：594.28 Kbytes Page：14 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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SPP04N60C3	文件：1.09069 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SPB04N60C3XT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 600V 4.5A 3PIN TO-263 - Cut TR(SOS)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	SPB04N60S5	infineon	1415+	P-TO263-3-2	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
深圳市一线半导体有限公司	SPB04N60S5	INFINEON	08+(pbfree)	P-TO263-3-2	8866		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	SPB04N60S5	INFINEON	2016+	SOP	6528	只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	SPB04N60S5	INFINEON	23+	TO-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	SPB04N60S5	进口原装	23+	SMD	25866	全新原装现货,专业代理热卖	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	SPB04N60S5	INFINEON	23+	TO-263	7936		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	SPB04N60S5	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华来深电子有限公司	SPB04N60S5	INFINE0N	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SPB04N60S5	INFINEO	18+	TO-263	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
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更多SPB04N60C3XT供应商更新时间2024-6-5 11:04:00

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