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SP8M51TB1	文件：296.54 Kbytes Page：1 Pages	4V Drive NchPch MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SP8M51TB1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
SP8M51TB1
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 和 P 沟道
FET 功能：
标准
漏源电压（Vdss）：
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
3A，2.5A
功率 - 最大值：
2W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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