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SMMBT5551LT1G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

SMMBT5551LT1G
厂商型号

SMMBT5551LT1G

参数属性

SMMBT5551LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

功能描述

High Voltage Transistors
TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

文件大小

183.57 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 23:55:00

SMMBT5551LT1G规格书详情

High Voltage Transistors

NPN Silicon

Features

• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and

PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

SMMBT5551LT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的SMMBT5551LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    SMMBT5551LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8800
公司只做原装正品
询价
ON
2020+
SOT-23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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ON/安森美
SOT23
7906200
询价
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
公司只做原装,诚信经营
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onsemi(安森美)
23+
SOT23
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诚信服务,绝对原装原盘
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ON/安森美
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SOT23
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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3000
进口原装 假一罚十 现货
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ON
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SOT23
30000
原厂原装,价格优势!13246658303
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ON
23+
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561000
订货1周 原装正品
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ON/安森美
23+
SOT-23
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