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SMMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Transistor PNP Silicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT5401LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT5401LT1	文件：109.25 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
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LMBT5401LT1G	文件：107.85 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistorRoHSrequirements.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMBT5401LT1	文件：164.83 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5401LT1	文件：330.96 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageTransistor FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT5401LT1	文件：40.92 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5401LT1	文件：44.6 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEKAvic Technology AvicTechnology	AVICTEK
MMBT5401LT1	文件：154.92 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5401LT1	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1	文件：189.34 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT5401LT1G	文件：135.89 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor(PNPSilicon) HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：118.48 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistorPNPSilicon HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：121.01 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401LT1G	文件：139.08 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor HighVoltageTransistor PNPSilicon Features •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LMBT5401LT1G	文件：445.01 Kbytes Page：5 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements FEATURE ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteand ControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
WMBT5401LT1	文件：34.88 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components	WINGS

产品属性

产品编号：
SMMBT5401LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3

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