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SMMBT3904WT1G	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT3904WT1G	文件：134.38 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAut	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SMMBT3904WT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT3904WT1	文件：278.14 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904WT1G	文件：807.81 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSili	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LMBT3904WT1G	文件：278.14 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT3904WT1G	文件：419.65 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904WT1	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904WT1	文件：466.18 Kbytes Page：11 Pages	GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT3904WT1	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904WT1	文件：455.96 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNandPNPSilicon) Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT3904WT1	文件：423.22 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT3904WT1	文件：296.73 Kbytes Page：12 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIERTRANSISTORSSURFACEMOUNT GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAut	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904WT1G	文件：166.33 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904WT1G	文件：134.38 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAut	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3904WT1G	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
S-LMBT3904WT1G	文件：807.81 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSili	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
S-LMBT3904WT1G	文件：419.65 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SMMBT3904WT1	文件：236.25 Kbytes Page：12 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNandPNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−323/SC−70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SMMBT3904WT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SC70-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SMMBT3904WT1G	onsemi	24+	SC-70,SOT-323	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	SMMBT3904WT1G	ON	22+	SOT-23-3	9000	只做原装假一赔十	询价
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