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SMBT35200MT1G分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

SMBT35200MT1G
厂商型号

SMBT35200MT1G

参数属性

SMBT35200MT1G 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

功能描述

High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

文件大小

115.4 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 10:08:00

SMBT35200MT1G规格书详情

SMBT35200MT1G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的SMBT35200MT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    SMBT35200MT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    310mV @ 20mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1.5A,1.5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
SOT163
13880
公司只售原装,支持实单
询价
ON
21+
TSOP-6
9866
询价
onsemi
24+
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
9350
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
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ON
2023+
TSOP-6
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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TI
2022+
SOT-223-4
31850
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ON/安森美
20+
TSOP-6
120000
原装正品 可含税交易
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ON
2021
N/A
6000
询价
ON
1742+
SOT23-6
98215
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ON/安森美
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SOT-163
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ON/安森美
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
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