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SMBJ51A-E3/2C

GS
NA

GSI TECHNOLOGY

GSI TECHNOLOGY

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SMBJ51A-E3/2C

GS
NA

GSGGunter Seniconductor GmbH.

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GSI

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NA

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

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SMBJ51A-E3/2C

GS
NA

MICROESYSGSI Group, Inc.

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详细参数

  • 型号:

    SMBJ51A-E3/2C

  • 功能描述:

    TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 600W 51V 5% Uni

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 极性:

    Bidirectional

  • 击穿电压:

    58.9 V

  • 钳位电压:

    77.4 V

  • 峰值浪涌电流:

    38.8 A

  • 封装/箱体:

    DO-214AB

  • 最小工作温度:

    - 55 C

  • 最大工作温度:

    + 150 C

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更多SMBJ51A-E3/2C供应商 更新时间2024-5-21 13:30:00