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SM8S26A-E3/2D	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：DO-218AB 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
SM8S26A-E3/2D
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
PAR®
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
26V
电压 - 击穿（最小值）：
28.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
42.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
157A
功率 - 峰值脉冲：
6600W（6.6kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-218AB
供应商器件封装：
DO-218AB
描述：
TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO218AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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