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BF245B	文件：97.4 Kbytes Page：11 Pages	N-channelsiliconfield-effecttransistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF245B	文件：120.95 Kbytes Page：2 Pages	JFETPROELECTRONSERIES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
BF245B	文件：22.98 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelAmplifiers N-ChannelAmplifiers •ThisdeviceisdesignedforVHF/UHFamplifiers. •Sourcedfromprocess50.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BF245B	文件：178.61 Kbytes Page：7 Pages	N-Channeljunctionfield-EffectTransistors N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors BF245A,BandCareN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41868).Theyareparticularlysuitableforuseindc,AFandRFamplifiers.	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
SMTPB245	文件：55.13 Kbytes Page：5 Pages	TRISILTM DESCRIPTION TheSMTPBxxserieshasbeendesignedtoprotecttelecommunicationequipmentagainstlightningandtransientinducedbyACpowerlines. FEATURES BIDIRECTIONALCROWBARPROTECTION. BREAKDOWNVOLTAGERANGE:From62VTo270V. HOLDINGCURRENT:IH=150mAmin REPETITIVEPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
SR245L	文件：164.62 Kbytes Page：2 Pages	2.0ALOWVFSCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
SS245	文件：1.71453 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SS245A	文件：219.26 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SS245F	文件：444.95 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SS245F	文件：1.52397 Mbytes Page：4 Pages	SMAFPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
SS245FA	文件：140.17 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SSL245	文件：3.12288 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifier Features Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Guardringforovervoltageprotection LowVF Lowpowerlosses,highefficiency Highforwardsurgecapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
SVC245	文件：29.3 Kbytes Page：4 Pages	VaractorDiode(IOCAP)forFMReceiverElectronicTuning VaractorDiode(IOCAP)forFMReceiverElectronicTuning Features •TwintypewithagoodlinearityofC-Vcharacteristic.Excelsinlargeinputcharacteristic. •Smallpackage(CP),permittingSVC245-appliedsetstobecompactandslim. •ApplicabletoFMwidebandduetohighcapacitancerat	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
TC245	文件：469.12 Kbytes Page：19 Pages	786-횞488-pixelccdimagesensor	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TC245	文件：309.22 Kbytes Page：19 Pages	pixelccdimagesensor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TFS245B	文件：158.15 Kbytes Page：5 Pages	Filterspecification	Vectron VECTRON	Vectron
TFS245C	文件：166.51 Kbytes Page：5 Pages	Filterspecification	Vectron VECTRON	Vectron
TFS245D	文件：193.45 Kbytes Page：5 Pages	VectronInternationalFilterspecification	Vectron VECTRON	Vectron
TFS245E	文件：134.43 Kbytes Page：5 Pages	VectronInternationalFilterspecification	Vectron VECTRON	Vectron
TG-245	文件：195 Kbytes Page：7 Pages	HIGHENERGYSPARKGAPDEVICES DESCRIPTION CPClare’sTGLegacySeriesoftwoelectrodesparkgapsexcelinapplicationsthatrequiretheefficienttransferofhighvoltage,highenergypulsesandDCovervoltageprotectionformagnetrons,diodes,capacitors,etc.TheTGLegacySeriesalsoincludesthreeelectrodetriggeredsp	ClareClare Inc. Clare Inc.	Clare

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产品属性

产品编号：
SM24513PUFL
制造商：
TE Connectivity Laird
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > RF 天线
包装：
散装
频率组：
UHF（2GHz ~ 3GHz），SHF（f > 4GHz）
频率（中心/带）：
2.4GHz，5.5GHz
频率范围：
2.4GHz ~ 2.5GHz，5.15GHz ~ 5.85GHz
天线类型：
面板
VSWR：
2
增益：
2dBi，4dBi
端接：
U.FL（UMCC），IPEX MHF1
安装类型：
底座安装
描述：
RF ANT 2.4GHZ/5.5GHZ PANEL U.FL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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