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SKP04N60 | Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplications | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | |
包装：管件 封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | Infineon | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
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N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
FastSwitchingCharacteristic | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | A-POWER |
详细参数
- 型号：
SKP04N60
- 功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
08+(pbfree) |
P-TO220-3-1 |
8866 |
询价 | |||
ST |
17+ |
TO-220 |
1250 |
原装现货热卖 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
SIEMENS |
23+ |
TO-220 |
40000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
Infineon |
1844+ |
LQFP |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
英飞凌 |
23+ |
TO-TO-220 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
TO-220 |
90000 |
原装正品现货/价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
TECCOR/LITT |
23+ |
TO-251 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 |
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