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SIS448DN	文件：577.21 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
448	文件：110.65 Kbytes Page：4 Pages	Linearmotion0.2wattcompositionslidecontrol	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
448	文件：204.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
448IRF	文件：168.7 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.60ohm,Id=11A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AOD448	文件：127.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD448	文件：318.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD448L	文件：127.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI448	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI448	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：352.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU448	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU448L	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP448	文件：175.78 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ARF448	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：389.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448B	文件：389.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448B	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
BC448	文件：60.42 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL

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详细参数

型号：
SIS448DN
功能描述：
MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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