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SIHFR1N60AT	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60AT	文件：1.08659 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFR1N60AT-E3	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60ATL-E3	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60ATR-E3	文件：156.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60ATL-E3	文件：1.08672 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFR1N60ATR-E3	文件：1.0869 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SIHFR1N60ATR-GE3A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60ATRL-GE3A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SIHFR1N60ATRR-GE3A	文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N60	文件：71.1 Kbytes Page：1 Pages	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N60	文件：80.99 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N60	文件：41.79 Kbytes Page：1 Pages	JEDECDO-7PACKAGE JEDECDO-7PACKAGE	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N60	文件：197.55 Kbytes Page：4 Pages	SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
1N60	文件：143.99 Kbytes Page：8 Pages	1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N60	文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	GERMANIUMDIODES Features ·Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ·Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop ·ExtremelylowreversecurrentlR ·Ultraspeedswitchingcharacteristics ·Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics ·SatisfactoryWavedetectione	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N60	文件：51.09 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE VOLTAGERANGE:40V CURRENT:0.03A FEATURES Metalsilliconjunctionmajoritycarrierconduction Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ExtremelylowreversecurrentIR Ultraspeedswitchingcharacteristics Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N60	文件：127.55 Kbytes Page：1 Pages	600VN-ChannelMOSFET Features •HighReliability •LowReverseCurrentandLowForwardVoltage ·Marking:Cathodebandandtypenumber •MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020C MaximumRatings •Storage&OperatingJunctionTemperature:-65℃to+125℃	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1N60	文件：138.98 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier Features •HighReliability •LowReverseCurrentandLowForwardVoltage ·Marking:Cathodebandandtypenumber •MoistureSensitivity:Level1perJ-STD-020C MaximumRatings •Storage&OperatingJunctionTemperature:-65℃to+125℃	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1N60	文件：72.86 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES •Metal-on-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •ExtremelylowreversecurrentIR •Ultraspeedswitchingcharacteristics •Smalltemperaturecoefficientofforwardcharacteristics •Satisfactorywavedetectionefficiency	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG

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详细参数

型号：
SIHFR1N60AT
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

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