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SID15N10	文件：758.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
SID15N10	文件：954.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SID15N10	文件：1.17256 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SID15N10_15	文件：758.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
15N10	文件：182.52 Kbytes Page：5 Pages	14.7A,100V(D-S)N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N10isanN-ChannelenhancementMOSFET,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithaminimumon-stateresistance,highswitchingspeedandlowgatecharge. TheUTC15N10issuitableforhighefficiencyswitchingDC/DCconverter,LCDdisplayinverterandl	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
15N10	文件：1.11304 Mbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
15N10	文件：1.02293 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
15N10	文件：1.0134 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
15N10	文件：3.75984 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The15N10usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. Application Batteryswitch DC/DCconverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
15N10	文件：660.16 Kbytes Page：5 Pages	The15N10usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. Features VDS=100V,ID=15A RDS(ON),95mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),100mΩ(Typ)@VGS=4.5V LowTotalGateCharge LowReverseTransferCapacitance Improveddv/dtCapability FastSwitchingSpeed	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
15N10B	文件：3.21424 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description The15N10BTO-252usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. Application ●Powerswitchingapplication ●Hardswitchedandhighfrequencycircuits ●Uninterruptiblepowersuppl	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
15N10G	文件：3.69049 Mbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description The15N10Gusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. Application Batteryswitch DC/DCconverter	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
BM15N10	文件：231.12 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	booklyShanghai Baili Microelectronics Co., Ltd 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BRD15N10	文件：1.02972 Mbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DMD15N10-TR	文件：1.11304 Mbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMD15N10-TU	文件：1.11304 Mbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DTL15N10	文件：1.3053 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
DTU15N10	文件：286.36 Kbytes Page：7 Pages	TrenchFETPowerMOSFETS	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU15N10	文件：1.27648 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFETTrenchFETPowerMOSFETS	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FTK15N10D	文件：870.52 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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更多SID15N10供应商更新时间2024-5-31 8:56:00

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