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SID01N60	文件：828.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
AP01N60H	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60H	文件：1.08589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP01N60H,J-HF	文件：103.96 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60H-HF	文件：1.08593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP01N60J	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforAC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP01N60J)isavailableforlow-profileapplications. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSw	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60J-HF	文件：100.39 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristics	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP01N60P	文件：60.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercialindustrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSwitching SimpleDriveRequir	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
CJD01N60	文件：676.61 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：451.23 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJU01N60	文件：1.52187 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJV01N60	文件：623.75 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CMT01N60	文件：189.23 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子	CHAMP
CMT01N60	文件：259.17 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
CMT01N60	文件：288.4 Kbytes Page：8 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子	CHAMP
FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE01N60	文件：294.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Features *Dynami	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI01N60	文件：237.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI01N60	文件：288.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
SID01N60
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SID01N60供应商更新时间2024-5-31 16:57:00

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