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SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETS •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe−55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY	文件：499.88 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9926BDY_V01	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETS •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	Dual N-Channel MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI9926BDY-T1-E3	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9926BDY-T1-E3	文件：985.9 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926	文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926A	文件：124.3 Kbytes Page：4 Pages	6A竊?0VDualN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
9926A	文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
9926B	文件：1.62045 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM	文件：982.09 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926EM-A	文件：982.06 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GEM	文件：982.02 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926GM	文件：982 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926M	文件：981.93 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9926SS	文件：981.89 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE9926B	文件：735.63 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom2.5Vto12V.Thetwodevicesmaybeusedindividually,inparallelortoformabidirectionalblockingswitch. Features •VDS	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE9926BFM+H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SI9926BDY
功能描述：
MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V(G-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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