选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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Vishay Siliconix8-SOIC |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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VishaySiliconix8-SOIC |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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万三科技(深圳)有限公司4年
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威世/硅尼克斯NA |
500000 |
22+ |
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万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Vishay Siliconix8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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VISHAYSOP-8 |
1001 |
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SI9912DY-E3图片
SI9912DY-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI9912DY-E3功能描述:功率驱动器IC H-Bridge MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
SI9912DY-E3
- 制造商:
Vishay Siliconix
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 5.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1A,1A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
30ns,20ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC